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十大MicroLED芯片制備流程重要前五
來源：
時間：2023-07-11 11:08:51
與LED顯示相同，Microled芯片一般采用刻蝕和外延生長（Epitaxy，又稱磊晶）的方式制備。芯片制作流程主要包括以下幾步：
01
襯底制備
襯底制備，用有機(jī)溶劑和酸液清洗藍(lán)寶石襯底后，采用干法刻蝕制備出圖形化藍(lán)寶石襯底。
02
中間層制備
中間層制備，利用MOCVD進(jìn)行氣相外延，在高溫條件下分別進(jìn)行GaN緩沖層、N型GaN層、多層量子阱、P型GaN層生長制備。
03
臺階刻蝕
臺階刻蝕，在外延片表面形成圖形化光刻膠，之后利用感應(yīng)耦合等離子體刻蝕（ICP）工藝刻蝕到N型GaN層。
04
導(dǎo)電層制備
導(dǎo)電層制備，在樣品表面濺射氧化銦錫（ITO）導(dǎo)電層，光刻形成圖形化ITO導(dǎo)電層。五是絕緣層制備，利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)的氣相沉積法（PECVD）沉積形成SiO2絕緣層，之后經(jīng)光刻和濕法刻蝕。
05
電極制備
電極制備，采用剝離法等方法制備出圖形化光刻膠，電子束蒸發(fā)Au后利用高壓剝離機(jī)對光刻膠進(jìn)行剝離。
